Події

https://wccftech.com

1 0

TSMC представила додаткову інформацію про свою "2-нм N2" технологію, повідомивши про значний прогрес у показниках продуктивності та енергоефективності. Реалізація "N2 Nanosheet" від TSMC призвела до величезного зростання продуктивності вузла, демонструючи величезний потенціал 2-нм процес від Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) є одним із найочікуваніших досягнень на ринку, головним чином завдяки прогнозованим стрибкам у продуктивності та ефективності. Очікується, що масове виробництво цієї технології почнеться у другій половині 2025 року. Нещодавно під час брифінгу компанії на IEEE International Electron Device Meeting (IEDM) у Сан-Франциско було представлено ключові деталі про 2-нм "наношари", які стали головною темою заходу. TSMC зазначає, що їх 2-нм процес забезпечує на 15% вищу продуктивність при зниженні споживання енергії до 30%, що призводить до значного зростання енергоефективності. Крім того, технологія показала 1,15-кратне підвищення щільності транзисторів завдяки використанню наношарів із затвором по всьому периметру (GAA - Gate-All-Around) та N2 NanoFlex, що дозволяє виробникам розміщувати різні логічні осередки на мінімальній площі, оптимізуючи продуктивність вузла. Переходячи від традиційної FinFET технології до спеціалізованої N2 "наношарової" структури, TSMC досягла кращого контролю над потоком струму, що дозволяє виробникам точніше налаштовувати параметри залежно від конкретного використання процесу. Це стало можливим завдяки наношаровим транзисторам, які складаються з набору вузьких кремнієвих стрічок, кожна з яких оточена затвором. Це забезпечує більш точний контроль у порівнянні з FinFET. N2 від TSMC, завдяки таким методам, значно покращує характеристики вузла, особливо у порівнянні з 3-нм процесом та його похідними. Саме тому очікується, що 2-нм технологія буде широко впроваджена такими технологічними гігантами, як Apple та NVIDIA, завдяки її поколінним покращенням. Однак із такими інноваціями N2 також принесе паралельне зростання цін на кремнієві пластини — вартість зросте більш ніж на 10% у порівнянні з 3-нм вузлом. Повідомляється, що ціна однієї пластини N2 може становити від $25,000 до $30,000 за штуку, залежно від політики TSMC, що є значним підвищенням порівняно з 3-нм, вартість якого становить близько $20,000. Не слід забувати, що на початкових етапах виробництва через низькі вихідні показники (yield rates) та випробувальні виробничі цикли кінцеве виробництво буде обмеженим, що означає повільніші темпи впровадження технології на початкових етапах..